企业标准参编对标报告
「江苏第三代半导体研究院有限公司」
生成日期：2026年10月03日 · 数据来源：全国团体标准信息平台 / 全国标准信息公共服务平台等公开渠道 · 共收录标准 437,116 项（持续扩充中） · 报告版本：预览版
一、贵企业参编概况
11参编标准总数
0牵头起草
8团标
3国标
| 标准号 | 标准名称 | 级别 | 发布机构 | 本企业角色 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 47097-2026 | 氮化铝单晶抛光片 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| T/CASAS 037—2027 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET） 栅极电荷试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| GB/T 46227-2025 | 半导体单晶材料透过率测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| T/CASAS 021—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)阈值电压测试方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 046—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 042—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅偏试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 047—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 043—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 044—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高压高温高湿反偏试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 045—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| GB/T 44558-2024 | III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
最近一次参编标准发布日期：2026-01-28
二、同行参编对比
| 对标企业 | 参编总数 | 与本企业同标 |
|---|---|---|
| 工业和信息化部电子第五研究所 | 1048 项 | 8 项 |
| 西安交通大学 | 1035 项 | 8 项 |
| 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 46 项 | 8 项 |
完整版包含：招投标加分测算、同行参编全景对比、可参编标准机会清单、参编路径建议
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三、可参编标准机会清单
以下 200 项标准已有同行企业参与、而贵企业尚未参编，建议优先评估：
| 标准号 | 标准名称 | 级别 | 发布机构 | 同行参与 |
|---|---|---|---|---|
| T/CASAS 033—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、西安交通大学（3 家） |
| T/CASAS 016—2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、西安交通大学（3 家） |
| T/CASAS 015—2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、西安交通大学（3 家） |
| T/CASAS 020—2021 | 微纳米金属烧结体热导率试验方法 闪光法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、西安交通大学（3 家） |
| T/CASAS 019—2021 | 微纳米金属烧结体电阻率测试方法 四探针法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、西安交通大学（3 家） |
| T/CASAS 018—2021 | 微纳米金属烧结连接件 剪切强度试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、西安交通大学（3 家） |
| T/CASAS 017—2021 | 第三代半导体 微纳米金属烧结技术 术语 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、西安交通大学（3 家） |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所（2 家） |
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四、招投标加分潜力分析
| 标准级别 | 牵头起草 | 参与起草 |
|---|---|---|
| 国家标准 | 4 ~ 6 分 | 2 ~ 4 分 |
| 行业标准 | 3 ~ 5 分 | 1.5 ~ 3 分 |
| 团体标准 | 2 ~ 4 分 | 1 ~ 2 分 |
贵企业现有参编组合的标准化加分潜力约为 14 ~ 28 分
其中牵头起草 0 项可争取更高档位分值 · 多数招标项目技术标标准化加分上限为 5 ~ 10 分，贵企业已可覆盖多数项目的加分上限，后续参编主要提升竞争壁垒
以上 11 项标准均可在发布前开具参编证明，直接作为投标佐证材料（1 周内可出）
| 企业 | 标准化加分潜力估算 | 与贵企业差距 |
|---|---|---|
| 本企业 | 14 ~ 28 分 | — |
| 工业和信息化部电子第五研究所 | 1483 ~ 2966 分 | 落后约 2938 分 |
| 西安交通大学 | 1474 ~ 2948 分 | 落后约 2920 分 |
| 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 49 ~ 98 分 | 落后约 70 分 |
说明：分值区间依据政府采购、工程建设类招标常见评标办法整理，仅作参考；实际加分以各项目招标文件评审标准为准。
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五、结论与建议
综上，贵企业当前参编 11 项标准（牵头 0 项），在同行业对比中仍有提升空间——同行领先企业参编 1048 项，差距即机会。结合上方机会清单，优先选择与主营业务强相关、正处于征集阶段的团体标准切入。
参编标准可为企业带来：投标加分与资质背书、行业话语权、参编证明（1 周内可出，标准发布前即可用于投标）。
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