企业标准参编对标报告

「信息产业部专用材料质量监督检验中心」
生成日期:2026年10月02日 · 数据来源:全国团体标准信息平台 / 全国标准信息公共服务平台等公开渠道 · 共收录标准 437,116 项(持续扩充中) · 报告版本:预览版

一、贵企业参编概况

30参编标准总数
24牵头起草
29国标
1行标
标准号标准名称级别发布机构本企业角色
GB/T 5838.43-2015 荧光粉 第4-3部分:示波管和显示管用荧光粉 国标 国家标准化管理委员会 主要起草单位
GB/T 5838.42-2015 荧光粉 第4-2部分:指示管用荧光粉 国标 国家标准化管理委员会 主要起草单位
GB/T 5838.41-2015 荧光粉 第4-1部分:黑白显示管用荧光粉 国标 国家标准化管理委员会 主要起草单位
GB/T 11446.8-2013 电子级水中总有机碳的测试方法 国标 国家标准化管理委员会 主要起草单位
GB/T 11446.6-2013 电子级水中二氧化硅的分光光度测试方法 国标 国家标准化管理委员会 主要起草单位
GB/T 11446.7-2013 电子级水中痕量阴离子的离子色谱测试方法 国标 国家标准化管理委员会 主要起草单位
GB/T 11446.4-2013 电子级水电阻率的测试方法 国标 国家标准化管理委员会 主要起草单位
GB/T 11446.10-2013 电子级水中细菌总数的滤膜培养测试方法 国标 国家标准化管理委员会 主要起草单位
GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法 国标 国家标准化管理委员会 主要起草单位
GB/T 11446.5-2013 电子级水中痕量金属的原子吸收分光光度测试方法 国标 国家标准化管理委员会 主要起草单位
GB/T 11446.1-2013 电子级水 国标 国家标准化管理委员会 主要起草单位
GB/T 11446.9-2013 电子级水中微粒的仪器测试方法 国标 国家标准化管理委员会 主要起草单位
GB/T 11446.3-2013 电子级水测试方法通则 国标 国家标准化管理委员会 主要起草单位
GB/T 25186-2010 表面化学分析 二次离子质谱 - 由离子注入参考物质确定相对灵敏度因子 国标 国家标准化管理委员会 主要起草单位
SJ/T 11390-2009 无铅焊料试验方法 行标 工业和信息化部 主要起草单位
GB/T 24576-2009 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法 国标 国家标准化管理委员会 主要起草单位
GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法 国标 国家标准化管理委员会 主要起草单位
GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法 国标 国家标准化管理委员会 主要起草单位
GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法 国标 国家标准化管理委员会 主要起草单位
GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法 国标 国家标准化管理委员会 主要起草单位
GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物 国标 国家标准化管理委员会 主要起草单位
GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法 国标 国家标准化管理委员会 主要起草单位
GB/T 24577-2009 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物 国标 国家标准化管理委员会 主要起草单位
GB/T 22572-2008 表面化学分析 二次离子质谱 用多δ层参考物质评估深度分辨参数的方法 国标 国家标准化管理委员会 主要起草单位
GB/T 31476-2015 电子装联高质量内部互连用焊料 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
GB/T 31475-2015 电子装联高质量内部互连用焊锡膏 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
GB/T 31474-2015 电子装联高质量内部互连用助焊剂 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
最近一次参编标准发布日期:2015-05-15

二、同行参编对比

取与本企业同标准共现最多的同行企业,对比参编规模(同标 = 与本企业在同一标准中共同署名)。
本企业(信息产业部专用材料质量监督检验中心)
30牵头 24 项
中国电子科技集团公司第四十六研究所
68与本企业同标 21 项
中国电子技术标准化研究院
3463与本企业同标 16 项
中国科学院半导体研究所
148与本企业同标 9 项
对标企业参编总数与本企业同标
中国电子科技集团公司第四十六研究所68 项21 项
中国电子技术标准化研究院3463 项16 项
中国科学院半导体研究所148 项9 项
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三、可参编标准机会清单

以下 200 项标准已有同行企业参与、而贵企业尚未参编,建议优先评估:
标准号标准名称级别发布机构同行参与
GB/T 4192-2026 电真空器件及电光源用钨、钼材料电阻率的测试方法 国标 国家标准化管理委员会 中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第四十六研究所(2 家)
GB/T 4326-2025 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 国标 国家标准化管理委员会 中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学院半导体研究所(2 家)
T/CASAS 057—2025 高频开关应用下GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法 团标 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 中国电子技术标准化研究院、中国科学院半导体研究所(2 家)
T/CASAS 53—2025 氮化铝抛光片位错密度的测试 腐蚀坑法 团标 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学院半导体研究所(2 家)
T/CASAS 54—2025 氮化铝晶片吸收系数测试方法 团标 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学院半导体研究所(2 家)
T/CECA 108—2025 光纤光缆连接器总规范 团标 中国电子元件行业协会 中国电子技术标准化研究院、中国科学院半导体研究所(2 家)
GB/T 44985.1-2024 农业物联网通用技术要求 第1部分:大田种植 国标 国家标准化管理委员会 中国电子技术标准化研究院、中国科学院半导体研究所(2 家)
GB/T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类 国标 国家标准化管理委员会 中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学院半导体研究所(2 家)
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四、招投标加分潜力分析

标准化业绩是招投标技术标的重要加分项。已根据贵企业 30 项参编记录(牵头 24 项)与同行数据,完成加分潜力测算。
标准级别牵头起草参与起草
国家标准4 ~ 6 分2 ~ 4 分
行业标准3 ~ 5 分1.5 ~ 3 分
团体标准2 ~ 4 分1 ~ 2 分
贵企业现有参编组合的标准化加分潜力约为 107 ~ 167 分
其中牵头起草 24 项可争取更高档位分值 · 多数招标项目技术标标准化加分上限为 5 ~ 10 分,贵企业已可覆盖多数项目的加分上限,后续参编主要提升竞争壁垒
以上 30 项标准均可在发布前开具参编证明,直接作为投标佐证材料(1 周内可出)
企业标准化加分潜力估算与贵企业差距
本企业107 ~ 167 分—
中国电子科技集团公司第四十六研究所 121.5 ~ 243 分 落后约 76 分
中国电子技术标准化研究院 6,116.5 ~ 12233 分 落后约 12066 分
中国科学院半导体研究所 214.5 ~ 429 分 落后约 262 分
说明:分值区间依据政府采购、工程建设类招标常见评标办法整理,仅作参考;实际加分以各项目招标文件评审标准为准。
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五、结论与建议

综上,贵企业当前参编 30 项标准(牵头 24 项),在同行业对比中仍有提升空间——同行领先企业参编 3463 项,差距即机会。结合上方机会清单,优先选择与主营业务强相关、正处于征集阶段的团体标准切入。

参编标准可为企业带来:投标加分与资质背书、行业话语权、参编证明(1 周内可出,标准发布前即可用于投标)。

参编申报咨询:18660107518(微信同号)
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