中国科学院半导体研究所参编了 148 项标准 | 万企标准网

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「中国科学院半导体研究所」共参与 148 项标准

团标 80 项国标 65 项行标 3 项

📊 生成企业对标报告

国家标准65 行业标准3 团体标准80

GB/T 47902-2026国标

金刚石单晶抛光片起草单位

状态：即将实施

GB/T 47174-2026国标

光纤传感技术术语起草单位

状态：现行

GB/T 47080-2026国标

金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法主要起草单位

状态：现行

GB/T 35305-2026国标

太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片起草单位

状态：现行

GB/T 46611-2025国标

电光调制器用铌酸锂单晶薄膜起草单位

状态：现行

GB/T 4326-2025国标

非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法起草单位

状态：现行

GB/T 46567.1-2025国标

智能计算忆阻器测试方法第1部分：基础特性起草单位

状态：现行

GB/T 30856-2025国标

LED外延芯片用砷化镓衬底起草单位

状态：现行

GB/T 45720-2025国标

半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验起草单位

状态：现行

GB/T 44985.1-2024国标

农业物联网通用技术要求第1部分：大田种植起草单位

状态：现行

GB/T 44935-2024国标

纳米技术二硫化钼薄片的层数测量拉曼光谱法主要起草单位

状态：现行

GB/T 7247.2-2024国标

激光产品的安全第2部分：光纤通信系统（OFCS）的安全起草单位

状态：现行

GB/T 14264-2024国标

半导体材料术语起草单位

状态：现行

GB/T 43493.2-2023国标

半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第2部分：缺陷的光学检测方法起草单位

状态：现行

GB/Z 43510-2023国标

集成电路TSV三维封装可靠性试验方法指南起草单位

状态：现行

GB/T 43612-2023国标

碳化硅晶体材料缺陷图谱起草单位

状态：现行

GB/T 43493.3-2023国标

半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法起草单位

状态：现行

GB/T 43493.1-2023国标

半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分：缺陷分类起草单位

状态：现行

GB/T 43313-2023国标

碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试共焦点微分干涉法起草单位

状态：现行

GB/T 42973-2023国标

半导体集成电路数字模拟（DA）转换器起草单位

状态：现行