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「天津市环欧半导体材料技术有限公司」共参与 16 项标准
团标 1 项国标 15 项
📊 生成企业对标报告
国家标准15团体标准1
GB/T 19921-2018国标
硅抛光片表面颗粒测试方法 起草单位
状态：现行
GB/T 14844-2018国标
半导体材料牌号表示方法 起草单位
状态：现行
GB/T 26068-2018国标
硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法 起草单位
状态：现行
GB/T 12965-2018国标
硅单晶切割片和研磨片 起草单位
状态：现行
GB/T 12964-2018国标
硅单晶抛光片 起草单位
状态：现行
GB/T 35307-2017国标
流化床法颗粒硅 起草单位
状态：废止
GB/T 35309-2017国标
用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的规程 起草单位
状态：现行
GB/T 17170-2015国标
半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法 起草单位
状态：现行
GB/T 19199-2015国标
半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法 起草单位
状态：现行
GB/T 12962-2015国标
硅单晶 起草单位
状态：现行
GB/T 31854-2015国标
光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法 起草单位
状态：现行
GB/T 29852-2013国标
光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法 起草单位
状态：现行
GB/T 29851-2013国标
光伏电池用硅材料中B、Al受主杂质含量的二次离子质谱测量方法 起草单位
状态：现行
GB/T 29850-2013国标
光伏电池用硅材料补偿度测量方法 起草单位
状态：现行
GB/T 29849-2013国标
光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法 起草单位
状态：现行